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小封装MOS管和DCDC升压转换器的主要参数是什么?

发布日期:2020-12-31 点击次数:380

主要参数记住以下几点:

 Idss :饱和漏源电流,是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流

 Up :夹断电压,是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.

 Ut :开启电压,是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压

 gM :跨导, 此乃衡量场效应管放大能力的重要参数.

 BVDS :漏源击穿电压,是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的漏源电压

 PDSM:耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的漏源耗散功率

 IDSM : 漏源电流,是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的电流 DC/DC转换器是一种开关型稳压电源,一般分为四种:

(1) 极性反转式:其特点是输出电压的极性正好与输入电压相反。特点是Vo=-VI,二者的值相同。除此之外,mos管小封装,还有输出固定负压、可调负压两种。

(2) 其特征是VO>VI,变换器具有提升电源电压的作用。

(3) 利用变换器来降低电源电压,使VO<VI 。

(4) 低压差集成稳压器。这类集成稳压器的输入-输出压差低于0.5~0.6V,甚至在0.1V左右的压差下已能正常工作,能显示提高稳压电源的效率。

                                  

功率MOS管可否串联使用呢?

同类型的不可以串接一起,MOS会被击穿,但一般会把MOS并在一起增加导通电流。

MOSFET的VGS耐压一般都会大幅度低于VDS耐压,以目前较常见的75N75为例,VDS耐压75V,电流75A,但VGS耐压只有20V。串接后,从上到下四个节点依次是上端MOS的Drain(D1),

上端MOS??的Source(S1),下端MOS的D2(和S1相连),下端MOS的S2,两MOS的GATE G1G2相连,G1G2给高压打开MOS的时候没什么大问题,内阻小,在DS端形成的电压也低。但关断

后即VGS1=VGS2=0V,此时MOS两端的电压和会等于你所加的系统电压,假如是120V,理论上,VDS1会等于VDS2等于60V,即两个MOS形成分压,从上到下的电势依次为D1,120V;S1,

60V;D2,mos管,60V;S2,0V。而此时,G1G2等于0V,VGS1的电压就是-60V,MOS栅极会被击穿烧毁。

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