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给大家先容一个大功率MOS管驱动电路的制作方法

发布日期:2020-12-31 点击次数:887

主要的解决方式有两种:

一类是使用专用驱动芯片驱动MOS管,或利用快速光耦、三极管构成的电路驱动MOS管,但是第一类方式需要提供独立电源;另外一类采用脉冲变压器驱动MOS管,而在脉冲驱动电路

中,如何提高驱电路的开关频率,增大驱动能力,尽可能的减少元件数量,是目前亟待解决的问题。

第一类驱动方案中,半桥需要2路独立电源;全桥则需要3路独立电源,无论是半桥还是全桥,其元件过多,不利于降低成本。

第二类驱动方案中,与本专利最接近的现有技术为发明名称为“一种大功率MOS管驱动电路”专利(申请号200720309534. 8),该专利中仅加一泄放电阻来释放大功率MOS管的栅源极

电荷,达到关断的目的,PWM信号的下降沿较大,这将导致MOS管关断速度慢,功率损耗很大;另外,该专利方案中MOS管工作易受干扰,而且PWM控制芯片需要具有较大的输出功率,

使得芯片温度较高,影响芯片的使用寿命。发明内容本实用新型的发明目的在于提供一种大功率MOS管驱动电路,工作更加稳定可O实现本实用新型发明目的技术方案—种大功率MOS

管驱动电路,PWM控制芯片的信号输出端接脉冲变压器初级,脉冲变压器次级的第一输出端接第一 MOS管的栅极,脉冲变压器次级的第二输出端接第二MOS管的栅极,其特征在于脉冲

变压器次级的第一输出端还接有第一泄放三极管,脉冲变压器次级的第二输出端还接有第二泄放三极管。PWM控制芯片的信号输出端与脉冲变压器初级之间接有用于信号放大的MOS

管。脉冲变压器初级还接有储能释放电路。所说储能释放电路包括电阻、电容和二极管,电阻和电容并联,前述的并联电路与二极管串联。本实用新型具有的有益效果本实用新型在

变压器次级的第一输出端还接有第一泄放三极管,脉第二输出端还接有第二泄放三极管,当脉冲变压器输出低电平时,第一 MOS管和第二 MOS管能够快速放电,提高MOS管的关断速

度,减少MOS管损耗。PWM控制芯片的信号输出端与脉冲变压器初级之间接有用于信号放大的MOS管,能够进一步提高PWM信号的驱动能力。脉冲变压器初级还接有储能释放电路,当

PWM信号处于低电平时,储能释放电路将PWM高电平时在脉冲变压器中的储能释放掉,保证了第一MOS管和第二MOS管的栅源极为低电平,起到了防干扰的作用。


具体实施方式,PWM控制芯片的信号输出端A与脉冲变压器Tl的初级之间接有用于信号放大的小功率MOS管Q1,脉冲变压器次级的第一输出端经二极管D1、驱动电阻Rl接第一MOS管Q4的

栅极,脉冲变压器次级的第二输出端经二极管D2、驱动电阻R2接第二 MOS管Q5的栅极,脉冲变压器次级的第一输出端还接有第一泄放三极管Q2,脉冲变压器次级的第二输出端还接有

第二泄放三极管Q3。第一 MOS管Q4的栅极接有泄放电阻R3,第二 MOS管Q5的栅极接有泄放电阻R4。脉冲变压器Tl初级还接有储能释放电路,储能释放电路包括电阻 R5、电容Cl和二

极管D3,电阻R5和电容Cl并联,前述的并联电路与二极管D3串联。PWM控制芯片输出的PWM信号经小功率MOS管Ql进行放大后,输出至脉冲变压器Tl的初级。当PWM信号为高电平时,脉

冲变压器Tl次级的第一输出端和第二输出端输出高电平信号,驱动第一 MOS管Q4和第二 MOS管Q5导通。当PWM信号为低电平时,脉冲变压器Tl次级的第一输出端和第二输出端输出低电

平信号,第一泄放三极管Q2和第二泄放三极管Q3导通,第一 MOS管Q4栅源极电容通过泄放电阻R3、第一泄放三极管Q2进行放电,第二 MOS管Q5栅源极电容通过泄放电阻R4、第二泄放

三极管Q3进行放电,使第一 MOS管Q4、第二 MOS管Q5的关断速度更快,减少功率损耗。当PWM信号为低电平时,由电阻R5、电容Cl和二极管D3组成的储能释放电路将PWM高电平时在脉

冲变压器中的储能释放掉,保证了第一 MOS管Q4和第二 MOS管Q5的栅源极为低电平,起到了防干扰的目的。二极管Dl和二极管D2对输出电流进行单向导通,从而保证了 PWM波形质

量,同时也在一定程度上起到了防干扰的作用。

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