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常用大功率mos管工作原理先容

发布日期:2020-12-31 点击次数:429

今天就常用大功率mos管来简单先容下它的工作原理。看看它是如何实现自身的工作的。

MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描述了集成电路中MOS管的结构,即:在一定结构的半导体器件上,加上二氧化硅和金属,

形成栅。

MOS管的source和drain是可以对调的,都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。

分类:按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种;按导电方式:MOS管又分耗尽型与增强型,所以MOS场效应晶体管分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。

MOS管工作原理--MOS管的结构特点它导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,小功率MOS管是横向导电器

件,

功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET,大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电

阻,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽

型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOS管。

MOS管的工作原理,它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中

出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道

内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。


                         

现在MOS管的应用已经大大提高了人们的学习,工作效率,同时提升了大家的生活质量。大家通过一些简单的了解来对它有一个更加理性化的认识。不仅仅将它作为工具来使用,更

加了解它的特性,工作原理,这也会给大家增加很多乐趣。


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